UPA2352T1G-E4-A データシート Renesas

UPA2352T1G-E4-A - RENESAS の商品詳細ページです。

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UPA2352T1G-E4-A の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番UPA2352T1G-E4-A
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code S-PBGA-X4
JESD-609 Code e6
Number of Elements 2
Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style GRID ARRAY Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.75 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position BOTTOM
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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