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RN1102(TE85L,F)

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バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)|パッケージ : SSM (表面実装)

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RN1102(TE85L,F) の詳細情報

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型番RN1102(TE85L,F)
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
DC Current Gain-Min (hFE) 50
Number of Elements 1
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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