U1ZB75
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U1ZB75 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | U1ZB75 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| データシート |  |
| Breakdown Voltage-Max | 8.3 V |
| Breakdown Voltage-Min | 6.8 V |
| Breakdown Voltage-Nom | 75 V |
| Configuration | SINGLE |
| Diode Element Material | SILICON |
| Diode Type | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| Dynamic Impedance-Max | 30 ohm |
| JESD-30 Code | R-PDSO-C2 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Operating Temperature-Min | -40 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity | UNIDIRECTIONAL |
| Power Dissipation-Max | 1 W |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Reference Voltage-Nom | 7.5 V |
| Rep Pk Reverse Voltage-Max | 4.5 V |
| Reverse Current-Max | 10 uA |
| Sub Category | Voltage Reference Diodes |
| Surface Mount | YES |
| Technology | AVALANCHE |
| Terminal Form | C BEND |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Voltage Tol-Max | 5 % |
| Working Test Current | 4 mA |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
U1ZB75のレビュー
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