U1ZB36-TE12R データシート Toshiba

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U1ZB36-TE12R の詳細情報

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型番U1ZB36-TE12R
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Max 39.6 V
Breakdown Voltage-Min 32.4 V
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code R-PDSO-C2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 1 W
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Technology AVALANCHE
Terminal Form C BEND
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

U1ZB36-TE12Rのレビュー

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