U1G4B42 データシート Toshiba

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U1G4B42 の詳細情報

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型番U1G4B42
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Configuration BRIDGE, 4 ELEMENTS
Diode Element Material SILICON
Diode Type BRIDGE RECTIFIER DIODE
Forward Voltage-Max (VF) 1 V
JESD-30 Code R-PDSO-G4
JESD-609 Code e0
Non-rep Pk Forward Current-Max 33 A
Number of Elements 4
Number of Phases 1
Number of Terminals 4
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Output Current-Max 1 A
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 400 V
Reverse Current-Max 1.0E-5 uA
Sub Category Bridge Rectifier Diodes
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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