TTB002
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バイポーラトランジスタ | 低周波用バイポーラパワートランジスタ
TTB002 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | TTB002 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | バイポーラ |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート |  |
| Case Connection | COLLECTOR |
| Collector Current-Max (IC) | 3 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 60 V |
| Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 20 |
| IC (Q2)(Max)(A) | |
| IC(Max)(A) | -3 |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Temperature-Max | 175 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | PNP |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 30 W |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 9 MHz |
| VCEO (Q2)(Max)(V) | |
| VCEO(Max)(V) | -60 |
| ピン数 | 3 |
| 内部接続 | |
| 極性 | PNP |
| 相補品形名 | |
| 面実装区分 | Y |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
TTB002のレビュー
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