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TPN5900CNH,L1Q
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TPN5900CNH,L1Q の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | TPN5900CNH,L1Q |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 150 V |
| Drain Current-Max (ID) | 9 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.059 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 50 pF |
| JESD-30 Code | S-PDSO-F8 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | SQUARE |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 39 W |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
TPN5900CNH,L1Qのレビュー
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