TPN5900CNH データシート Toshiba

TPN5900CNH - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPN5900CNH の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPN5900CNH
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 37 mJ
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 460
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 150 V
Drain Current-Max (ID) 9 A
Drain-source On Resistance-Max 0.059 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 50 pF
ID(A) 18
JESD-30 Code S-PDSO-F8
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 39
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 39 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 35 A
Qg(nC) 7
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.059
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 150
VGSS(V) +/-20
タイプ 高速スイッチング
ピン数 8
世代 U-MOSⅧ-H
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPN5900CNHのレビュー

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