TPN1600ANH,L1Q(M データシート Toshiba

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(M:マレーシア生産

TPN1600ANH,L1Q(M の詳細情報

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  • メーカー情報
型番TPN1600ANH,L1Q(M
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 36 A
Drain Current-Max (ID) 17 A
Drain-source On Resistance-Max 0.016 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 50 pF
JESD-30 Code S-PDSO-F8
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 42 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPN1600ANH,L1Q(Mのレビュー

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