型番 | TPN1600ANH |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | MOSFET |
データシート | ![]() |
Case Connection | DRAIN |
Ciss(pF) | 1230 |
Configuration | SINGLE |
DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 36 A |
Drain Current-Max (ID) | 17 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.016 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 50 pF |
ID(A) | 36 |
JESD-30 Code | S-PDSO-F8 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
PD(W) | 42 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | SQUARE |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 42 W |
Qg(nC) | 19 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | 0.016 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
Sub Category | FET General Purpose Power |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
VDSS(V) | 100 |
VGSS(V) | +/-20 |
タイプ | 高速スイッチング |
ピン数 | 8 |
世代 | U-MOSⅧ-H |
極性 | N-ch |
面実装区分 | Y |
駆動電圧タイプ |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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