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TPN14006NH,L1Q(M
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(M:マレーシア生産
TPN14006NH,L1Q(M の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | TPN14006NH,L1Q(M |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| データシート |  |
| Configuration | SINGLE |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 13 A |
| Drain Current-Max (ID) | 13 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 30 W |
| Sub Category | FET General Purpose Power |
| Surface Mount | YES |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
TPN14006NH,L1Q(Mのレビュー
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