TPN13008NH データシート Toshiba

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TPN13008NH の詳細情報

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型番TPN13008NH
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 1230
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 40 A
Drain Current-Max (ID) 40 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 40
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 42
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 42 W
Qg(nC) 18
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.0133
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
VDSS(V) 80
VGSS(V) +/-20
タイプ 高速スイッチング
ピン数 8
世代 U-MOSⅧ-H
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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