TPN1200APL データシート Toshiba

TPN1200APL - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
TPN1200APL
  • TPN1200APL
  • TPN1200APL
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
2営業日以内に回答いたします

TPN1200APL の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPN1200APL
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 1425
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (ID) 66 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0115 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 50 pF
ID(A) 66
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
PD(W) 104
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 104 W
Qg(nC) 24
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.0115
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.02
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 100
VGSS(V) +/-20
タイプ 高速スイッチング
ピン数 8
世代 U-MOSⅨ-H
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPN1200APLのレビュー

TPN1200APL のご注文について