TPM2626-60 データシート Toshiba

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TPM2626-60 の詳細情報

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型番TPM2626-60
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Case Connection SOURCE
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 15 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 46 A
Drain Current-Max (ID) 26 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band S BAND
JESD-30 Code R-CDFM-F2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 185 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material GALLIUM ARSENIDE
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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