TPH7R506NHL1Q(M データシート Toshiba

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(M:マレーシア生産

TPH7R506NHL1Q(M の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPH7R506NHL1Q(M
メーカーTOSHIBA
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 132 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 55 A
Drain-source On Resistance-Max 0.019 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 66 A
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPH7R506NHL1Q(Mのレビュー

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