TPH7R506NH データシート

Name: TPH7R506NH
Brand: TOSHIBA
SKU: 300377076-0000-0000-0000

TPH7R506NH - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPH7R506NH の詳細情報

型番	TPH7R506NH
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	パワーMOSFET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	132 mJ
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)	1785
Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	55 A
Drain Current-Max (ID)	22 A
Drain-source On Resistance-Max	0.019 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	55
JESD-30 Code	S-PDSO-F5
Number of Elements	1
Number of Terminals	5
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)	45
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	SQUARE
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	45 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	66 A
Qg(nC)	31
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	0.0075
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Sub Category	FET General Purpose Powers
Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	60
VGSS(V)	+/-20
タイプ	高速スイッチング
ピン数	8
世代	U-MOSⅧ-H
極性	N-ch
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ