TPH2900ENH データシート

Name: TPH2900ENH
Brand: TOSHIBA
SKU: 300377062-0000-0000-0000

TPH2900ENH - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPH2900ENH の詳細情報

型番	TPH2900ENH
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	パワーMOSFET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	176 mJ
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)	1700
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Drain Current-Max (ID)	33 A
Drain-source On Resistance-Max	0.029 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	36
JESD-30 Code	S-PDSO-F5
Number of Elements	1
Number of Terminals	5
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
PD(W)	78
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	SQUARE
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	102 A
Qg(nC)	22
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	0.029
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	200
VGSS(V)	+/-20
タイプ	高速スイッチング
ピン数	8
世代	U-MOSⅧ-H
極性	N-ch
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ