TPH1R712MD,L1Q Toshiba

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TPH1R712MD,L1Q の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPH1R712MD,L1Q
メーカーTOSHIBA
種別パワーMOSFET
Avalanche Energy Rating (Eas) 468 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 60 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0027 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 1550 pF
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 78 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200 A
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPH1R712MD,L1Qのレビュー

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