TPH1R712MD データシート

Name: TPH1R712MD
Brand: TOSHIBA
SKU: 300377060-0000-0000-0000

TPH1R712MD - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPH1R712MD の詳細情報

型番	TPH1R712MD
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	パワーMOSFET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	468 mJ
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)	10900
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	60 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0027 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	1550 pF
ID(A)	-60
JESD-30 Code	S-PDSO-F5
Number of Elements	1
Number of Terminals	5
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)	78
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	SQUARE
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	78 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	200 A
Qg(nC)	182
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V	0.0027
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V	0.0017
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	-20
VGSS(V)	+/-12
タイプ
ピン数	8
世代	U-MOSⅥ
極性	P-ch
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ	低電圧ゲート駆動