TPCP8J01 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPCP8J01 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPCP8J01
メーカーTOSHIBA
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 5.8 mJ
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR, DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 80
DS Breakdown Voltage-Min 32 V
Drain Current-Max (ID) 5.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.049 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 22 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VCEsat-Max 0.3 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPCP8J01のレビュー

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