型番 | TPCP8406 |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | MOSFET |
種別 | パワーMOSFET |
データシート | ![]() |
Ciss:Q1(pF)Typ. | 850 |
Ciss:Q2(pF)Typ. | 1105 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 40 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6 A |
Drain Current-Max (ID) | 6 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.036 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
ID:Q1(A) | 6 |
ID:Q2(A) | -5 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
PD(W) | 1.48 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1.48 W |
Qg:Q1(nC)Typ. | 13.7 |
Qg:Q2(nC)Typ. | 24.2 |
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax | 0.0432 |
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax | |
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax | 0.0534 |
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax | 0.032 |
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax | |
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax | 0.036 |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
VDSS(V) | 40 / -40 |
VGSS(V) | +/-20 / +/-20 |
タイプ | |
ピン数 | 8 |
世代 | U-MOSⅥ-H / U-MOSⅥ |
極性 | N-ch + P-ch |
面実装区分 | Y |
駆動電圧タイプ | ロジックレベルゲート駆動 |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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