TPCP8404 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPCP8404 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPCP8404
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss:Q1(pF)Typ. 190
Ciss:Q2(pF)Typ. 510
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4 A
Drain Current-Max (ID) 4 A
Drain-source On Resistance-Max 0.08 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID:Q1(A) 4
ID:Q2(A) -4
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Number of Elements 2
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 1.48
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.48 W
Qg:Q1(nC)Typ. 4.6
Qg:Q2(nC)Typ. 13
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax 0.05
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax 0.08
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax 0.05
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax 0.08
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 30 / -30
VGSS(V) +/-20 / +/-20
タイプ
ピン数 8
世代 U-MOSⅣ / U-MOSⅤ
極性 N-ch + P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ ロジックレベルゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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