TPCP8206 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPCP8206 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPCP8206
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 630
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6 A
Drain Current-Max (ID) 6 A
Drain-source On Resistance-Max 0.035 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 47 pF
ID(A) 6
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Number of Elements 2
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 1.48
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qg(nC) 5.8
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category FET General Purpose Powers
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 20
VGSS(V)
タイプ
ピン数 8
世代 U-MOSⅦ
極性 N-ch x 2
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPCP8206のレビュー

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