TPCP8109 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPCP8109 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPCP8109
メーカーTOSHIBA
カテゴリFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (ID) 4.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0768 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -4.5
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Mold ハロゲンフリー
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Qg(nC) 18
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.0523
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
Reference Standard AEC-Q101
RoHS RoHS compatible
Surface Mount YES
Tch(℃) 175
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -40
タイプ
極性 P-ch
駆動電圧タイプ -10Vゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPCP8109のレビュー

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