| 型番 | TPCF8108 | 
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA | 
| カテゴリ | MOSFET | 
| データシート | ![]()  | 
| Ciss(pF) | 1320 | 
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 
| DS Breakdown Voltage-Min | 20 V | 
| Drain Current-Max (ID) | 7 A | 
| Drain-source On Resistance-Max | 0.037 ohm | 
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 
| ID(A) | -7 | 
| JESD-30 Code | R-PDSO-F8 | 
| Number of Elements | 1 | 
| Number of Terminals | 8 | 
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | 
| PD(W) | 2.5 | 
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | 
| Package Shape | RECTANGULAR | 
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter | 
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | 
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | 
| Qg(nC) | 19 | 
| Qualification Status | Not Qualified | 
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | 0.095 | 
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | 0.037 | 
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | 0.026 | 
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
| Surface Mount | YES | 
| Terminal Form | FLAT | 
| Terminal Position | DUAL | 
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | 
| Transistor Application | SWITCHING | 
| Transistor Element Material | SILICON | 
| VDSS(V) | -20 | 
| VGSS(V) | +/-12 | 
| タイプ | |
| ピン数 | 8 | 
| 世代 | U-MOSⅥ | 
| 極性 | P-ch | 
| 面実装区分 | Y | 
| 駆動電圧タイプ | 低電圧ゲート駆動 | 
| 会社名称 | 株式会社東芝 | 
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 | 
| 資本金 | 4,399億円 | 
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 | 
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ | 
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