TPCF8105 データシート Toshiba

TPCF8105 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

TPCF8105 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPCF8105
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 1100
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6 A
Drain Current-Max (ID) 6 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -6
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 2.5
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W
Qg(nC) 17
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V 0.1
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.041
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.03
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
VDSS(V) -20
VGSS(V) +/-12
タイプ
ピン数 8
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPCF8105のレビュー

TPCF8105 のご注文について