TPCF8004 データシート Toshiba

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TPCF8004 の詳細情報

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型番TPCF8004
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 610
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7 A
Drain Current-Max (ID) 7 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 7
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 2.5
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W
Qg(nC) 9
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.024
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.03
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
VDSS(V) 30
VGSS(V) +/-20
タイプ
ピン数 8
世代 U-MOSⅦ
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ ロジックレベルゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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