| 型番 | TPCC8076 | 
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA | 
| カテゴリ | MOSFET | 
| データシート | ![]()  | 
| Ciss(pF) | 2500 | 
| Configuration | SINGLE | 
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 27 A | 
| Drain Current-Max (ID) | 27 A | 
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 
| ID(A) | 27 | 
| Number of Elements | 1 | 
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | 
| Operating Temperature-Max | 150 Cel | 
| PD(W) | 39 | 
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | 
| Power Dissipation-Max (Abs) | 39 W | 
| Qg(nC) | 34 | 
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | 0.0046 | 
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | 0.0062 | 
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
| Sub Category | FET General Purpose Power | 
| Surface Mount | YES | 
| VDSS(V) | 33 | 
| VGSS(V) | +/-20 | 
| タイプ | |
| ピン数 | 8 | 
| 世代 | U-MOSⅦ | 
| 極性 | N-ch | 
| 面実装区分 | Y | 
| 駆動電圧タイプ | ロジックレベルゲート駆動 | 
| 会社名称 | 株式会社東芝 | 
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 | 
| 資本金 | 4,399億円 | 
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 | 
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ | 
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