TPCA8A11-H データシート Toshiba

TPCA8A11-H - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPCA8A11-H
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TPCA8A11-H の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPCA8A11-H
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 159 mJ
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 3200
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 35 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0046 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 35
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
PD(W) 52
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 105 A
Qg(nC) 46
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.0036
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.0046
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 30
VGSS(V) +/-20
タイプ 高速スイッチング
ピン数 8
世代 U-MOSⅦ-H
極性 N-ch + SBD
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPCA8A11-Hのレビュー

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