TPCA8120 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
TPCA8120
  • TPCA8120
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
2営業日以内に回答いたします

TPCA8120 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPCA8120
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 263 mJ
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 7420
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 45 A
Drain Current-Max (ID) 45 A
Drain-source On Resistance-Max 0.004 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -45
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 45
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 45 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 135 A
Qg(nC) 190
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.003
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.004
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -30
VGSS(V) -0.8
タイプ
ピン数 8
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ ロジックレベルゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPCA8120のレビュー

TPCA8120 のご注文について