| 型番 | TPC8408 | 
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA | 
| カテゴリ | MOSFET | 
| データシート | ![]()  | 
| Ciss:Q1(pF)Typ. | 850 | 
| Ciss:Q2(pF)Typ. | 1105 | 
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6.1 A | 
| Drain Current-Max (ID) | 6.1 A | 
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 
| ID:Q1(A) | 6.1 | 
| ID:Q2(A) | -5.3 | 
| JESD-609 Code | e3 | 
| Moisture Sensitivity Level | 1 | 
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | 
| Operating Temperature-Max | 150 Cel | 
| PD(W) | 1.5 | 
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 
| Power Dissipation-Max (Abs) | 2.2 W | 
| Qg:Q1(nC)Typ. | 14 | 
| Qg:Q2(nC)Typ. | 24 | 
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax | 0.032 | 
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax | |
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax | 0.036 | 
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax | 0.043 | 
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax | |
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax | 0.053 | 
| Sub Category | Other Transistors | 
| Surface Mount | YES | 
| Terminal Finish | Tin (Sn) | 
| VDSS(V) | 40 / -40 | 
| VGSS(V) | +/-20 / +/-20 | 
| タイプ | |
| ピン数 | 8 | 
| 世代 | U-MOSⅥ-H / U-MOSⅥ | 
| 極性 | N-ch + P-ch | 
| 面実装区分 | Y | 
| 駆動電圧タイプ | ロジックレベルゲート駆動 | 
| 会社名称 | 株式会社東芝 | 
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 | 
| 資本金 | 4,399億円 | 
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 | 
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ | 
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