| 型番 | TPC8407 | 
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA | 
| カテゴリ | MOSFET | 
| データシート | ![]()  | 
| Ciss:Q1(pF)Typ. | 1190 | 
| Ciss:Q2(pF)Typ. | 1650 | 
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9 A | 
| Drain Current-Max (ID) | 9 A | 
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 
| ID:Q1(A) | 9 | 
| ID:Q2(A) | -7.4 | 
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | 
| Operating Temperature-Max | 150 Cel | 
| PD(W) | 1.5 | 
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1.5 W | 
| Qg:Q1(nC)Typ. | 17 | 
| Qg:Q2(nC)Typ. | 39 | 
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax | 0.017 | 
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax | |
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax | 0.021 | 
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax | 0.023 | 
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax | |
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax | 0.029 | 
| Sub Category | Other Transistors | 
| Surface Mount | YES | 
| VDSS(V) | 30 / -30 | 
| VGSS(V) | +/-20 / +/-20 | 
| タイプ | |
| ピン数 | 8 | 
| 世代 | U-MOSⅦ-H / U-MOSⅥ | 
| 極性 | N-ch + P-ch | 
| 面実装区分 | Y | 
| 駆動電圧タイプ | ロジックレベルゲート駆動 | 
| 会社名称 | 株式会社東芝 | 
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 | 
| 資本金 | 4,399億円 | 
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 | 
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ | 
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