| 型番 | TPC8407 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | MOSFET |
| データシート | ![]() |
| Ciss:Q1(pF)Typ. | 1190 |
| Ciss:Q2(pF)Typ. | 1650 |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9 A |
| Drain Current-Max (ID) | 9 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| ID:Q1(A) | 9 |
| ID:Q2(A) | -7.4 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| PD(W) | 1.5 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1.5 W |
| Qg:Q1(nC)Typ. | 17 |
| Qg:Q2(nC)Typ. | 39 |
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax | 0.017 |
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax | |
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax | 0.021 |
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax | 0.023 |
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax | |
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax | 0.029 |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | YES |
| VDSS(V) | 30 / -30 |
| VGSS(V) | +/-20 / +/-20 |
| タイプ | |
| ピン数 | 8 |
| 世代 | U-MOSⅦ-H / U-MOSⅥ |
| 極性 | N-ch + P-ch |
| 面実装区分 | Y |
| 駆動電圧タイプ | ロジックレベルゲート駆動 |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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