TPC8406-H(TE12LQM データシート Toshiba

TPC8406-H(TE12LQM - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPC8406-H(TE12LQM の詳細情報

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型番TPC8406-H(TE12LQM
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6.5 A
Drain Current-Max (ID) 6.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.037 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.5 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPC8406-H(TE12LQMのレビュー

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