TPC8228-H データシート Toshiba

TPC8228-H - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPC8228-H の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPC8228-H
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 640
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3.8 A
Drain Current-Max (ID) 3.8 A
Drain-source On Resistance-Max 0.064 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 3.8
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 1.5
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.5 W
Qg(nC) 11
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 60
VGSS(V)
タイプ 高速スイッチング
ピン数 8
世代 U-MOSⅥ-H
極性 N-ch x 2
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPC8228-Hのレビュー

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