TPC8117(TE12LQ) データシート Toshiba

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TPC8117(TE12LQ) の詳細情報

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型番TPC8117(TE12LQ)
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 18 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0079 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPC8117(TE12LQ)のレビュー

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