TPC8089-H データシート Toshiba

TPC8089-H - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TPC8089-H の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TPC8089-H
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 850
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7.2 A
Drain Current-Max (ID) 7.2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.036 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 7.2
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 1.9
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.9 W
Qg(nC) 14
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.032
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.036
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 40
VGSS(V) +/-20
タイプ 高速スイッチング
ピン数 8
世代 U-MOSⅥ-H
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TPC8089-Hのレビュー

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