TPC6130 データシート Toshiba

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TPC6130 の詳細情報

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型番TPC6130
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 360
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.8 A
Drain Current-Max (ID) 2.8 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -2.8
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 2.2
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2.2 W
Qg(nC) 5.1
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.164
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.106
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
VDSS(V) -20
VGSS(V) +/-12
タイプ
ピン数 6
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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