型番 | TPC6067 |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | MOSFET |
種別 | パワーMOSFET |
データシート | ![]() |
Ciss(pF) | 610 |
Configuration | SINGLE |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6 A |
Drain Current-Max (ID) | 6 A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
ID(A) | 6 |
Number of Elements | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
PD(W) | 2.2 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.22 W |
Qg(nC) | 8 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | 0.023 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | 0.029 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
Sub Category | FET General Purpose Power |
Surface Mount | YES |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
VDSS(V) | 30 |
VGSS(V) | +/-20 |
タイプ | |
ピン数 | 6 |
世代 | U-MOSⅦ |
極性 | N-ch |
面実装区分 | Y |
駆動電圧タイプ | ロジックレベルゲート駆動 |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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