TLP291(E(O データシート Toshiba

TLP291(E(O - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
TLP291(E(O
  • TLP291(E(O
  • TLP291(E(O
  • TLP291(E(O
  • TLP291(E(O
  • TLP291(E(O
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
2営業日以内に回答いたします

(O:国内生産,国内販売|光半導体 | フォトカプラ,フォトリレー

TLP291(E(O の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TLP291(E(O
メーカーTOSHIBA
カテゴリフォト-光半導体
種別フォトカプラ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature UL RECOGNIZED
Coll-emtr Bkdn Voltage-Min 80 V
Configuration SINGLE
Current Transfer Ratio-Nom 50 %
Dark Current-Max 80 nA
Forward Current-Max 0.05 A
Isolation Voltage-Max 3750 V
Number of Elements 1
Operating Temperature-Max 110 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Optoelectronic Device Type TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
RoHS 対応
コレクタ-エミッタ間 飽和電圧 (Max)
コレクタ-エミッタ間電圧 VCEO 80 V
コレクタ電流 IC 0.05 A
ピン数 4
入力タイプ DC
動作温度 Topr -55 to 110 degC
回路数 1
変換効率 (Max) CTR IF=5mA VCE=5V rank=-- 400 %
変換効率 (Min) CTR IF=5mA VCE=5V rank=-- 50 %
実装区分 表面実装
東芝パッケージ名 SO4
機能 汎用
特長 2.3mm 薄型パッケージ
用途 通信インタフェース用 / 汎用電源用 / PLC用
短絡電流 (Min)
絶縁耐圧 BVs @1分間 (Min) BVS t=60sec 3750 Vrms
開放電圧 (Min)
順電流 IF 0.05 A
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TLP291(E(Oのレビュー

TLP291(E(O のご注文について