TLP227G-2(TP1NF) データシート Toshiba

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光半導体 | フォトカプラ,フォトリレー

TLP227G-2(TP1NF) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TLP227G-2(TP1NF)
メーカーTOSHIBA
種別フォトカプラ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature UL APPROVED
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Control Current 0.005 A
Control Voltage 1 V
Forward Current-Max 0.025 A
Input Type DC
Isolation Voltage-Max 2500 V
Mounting Feature THROUGH HOLE MOUNT
Number of Elements 2
On-State Current-Max 0.12 A
On-state Resistance-Max 40 ohm
Operating Temperature-Max 65 Cel
Operating Temperature-Min -20 Cel
Optoelectronic Device Type TRANSISTOR OUTPUT SSR
Output Circuit Type MOSFET
Overall Height 3.65 mm
Overall Length 9.66 mm
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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