TK9J90E データシート

Name: TK9J90E
Brand: TOSHIBA
SKU: 300376905-0000-0000-0000

TK9J90E - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK9J90E の詳細情報

型番	TK9J90E
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	454 mJ
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)	2000
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	900 V
Drain Current-Max (ID)	9 A
Drain-source On Resistance-Max	1.3 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	9
JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
PD(W)	250
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	27 A
Qg(nC)	46
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	1.3
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	900
VGSS(V)	+/-30
タイプ
ピン数	3
世代	π-MOSⅧ
極性	N-ch
面実装区分	N
駆動電圧タイプ	10Vゲート駆動