TK9A20DA データシート

Name: TK9A20DA
Brand: TOSHIBA
SKU: 300376899-0000-0000-0000

TK9A20DA - TOSHIBA の商品詳細ページです。

No Image

２営業日以内に回答いたします

TK9A20DA の詳細情報

型番	TK9A20DA
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	56 mJ
Case Connection	ISOLATED
Ciss(pF)	550
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	8.5 A
Drain Current-Max (ID)	8.5 A
Drain-source On Resistance-Max	0.4 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	8.5
JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)	30
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	30 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	34 A
Qg(nC)	14
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	0.4
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Sub Category	FET General Purpose Powers
Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	200
VGSS(V)	+/-20
タイプ
ピン数	3
世代	π-MOSⅦ
極性	N-ch
面実装区分	N
駆動電圧タイプ	10Vゲート駆動