TK90S06N1L データシート Toshiba

TK90S06N1L - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK90S06N1L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TK90S06N1L
メーカーTOSHIBA
カテゴリFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 95 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 90 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0052 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 350 pF
ID(A) 90
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Mold ハロゲンフリー
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 157 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 180 A
Qg(nC) 81
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.0033
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.0052
Reference Standard AEC-Q101
RoHS 端子Pbフリー
Surface Mount YES
Tch(℃) 175
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 60
タイプ
極性 N-ch
駆動電圧タイプ ロジックレベルゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TK90S06N1Lのレビュー

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