型番 | TK90S06N1L |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | FET |
データシート | ![]() |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 95 mJ |
Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (ID) | 90 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0052 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 350 pF |
ID(A) | 90 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Mold | ハロゲンフリー |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 157 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 180 A |
Qg(nC) | 81 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | 0.0033 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | 0.0052 |
Reference Standard | AEC-Q101 |
RoHS | 端子Pbフリー |
Surface Mount | YES |
Tch(℃) | 175 |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
VDSS(V) | 60 |
タイプ | |
極性 | N-ch |
駆動電圧タイプ | ロジックレベルゲート駆動 |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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