| 型番 | TK8A65W | 
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA | 
| カテゴリ | MOSFET | 
| 種別 | パワーMOSFET | 
| データシート | ![]()  | 
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 102 mJ | 
| Case Connection | ISOLATED | 
| Ciss(pF) | 570 | 
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 
| DS Breakdown Voltage-Min | 650 V | 
| Drain Current-Max (ID) | 7.8 A | 
| Drain-source On Resistance-Max | 0.65 ohm | 
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 
| ID(A) | 7.8 | 
| JEDEC-95 Code | TO-220AB | 
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | 
| Number of Elements | 1 | 
| Number of Terminals | 3 | 
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | 
| PD(W) | 30 | 
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | 
| Package Shape | RECTANGULAR | 
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter | 
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | 
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 31.2 A | 
| Qg(nC) | 16 | 
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | 0.65 | 
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
| Surface Mount | NO | 
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | 
| Terminal Position | SINGLE | 
| Transistor Application | SWITCHING | 
| Transistor Element Material | SILICON | 
| VDSS(V) | 650 | 
| VGSS(V) | +/-30 | 
| タイプ | |
| ピン数 | 3 | 
| 世代 | DTMOSⅣ | 
| 極性 | N-ch | 
| 面実装区分 | N | 
| 駆動電圧タイプ | 10Vゲート駆動 | 
| 会社名称 | 株式会社東芝 | 
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 | 
| 資本金 | 4,399億円 | 
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 | 
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ | 
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