TK50P04M1 データシート

Name: TK50P04M1
Brand: TOSHIBA
SKU: 300292265-0000-0000-0000

TK50P04M1 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK50P04M1 の詳細情報

型番	TK50P04M1
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	パワーMOSFET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	65 mJ
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)	2600
Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	50 A
Drain Current-Max (ID)	50 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0102 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	50
JESD-30 Code	R-PSSO-G2
Number of Elements	1
Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)	60
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	60 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	150 A
Qg(nC)	38
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	0.0087
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V	0.0102
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	40
VGSS(V)	+/-20
タイプ	高速スイッチング
ピン数	3
世代	U-MOSⅥ-H
極性	N-ch
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ