TK4P60DB データシート

Name: TK4P60DB
Brand: TOSHIBA
SKU: 300367272-0000-0000-0000

TK4P60DB - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK4P60DB の詳細情報

型番	TK4P60DB
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	パワーMOSFET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	147 mJ
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)	540
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	600 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	3.7 A
Drain Current-Max (ID)	3.7 A
Drain-source On Resistance-Max	2 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	3.7
JESD-30 Code	R-PSSO-G2
Number of Elements	1
Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)	80
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	80 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	14.8 A
Qg(nC)	11
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	2
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	600
VGSS(V)	+/-30
タイプ
ピン数	3
世代	π-MOSⅦ
極性	N-ch
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ	10Vゲート駆動