TK45P03M1 データシート Toshiba

TK45P03M1 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK45P03M1 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TK45P03M1
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 53 mJ
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 1500
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 45 A
Drain-source On Resistance-Max 0.012 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 45
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
PD(W) 39
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 90 A
Qg(nC) 13
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.0097
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.012
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 30
VGSS(V) +/-20
タイプ 高速スイッチング
ピン数 3
世代 U-MOSⅥ-H
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TK45P03M1のレビュー

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