TK40P04M1(T6RSS-Q) データシート Toshiba

TK40P04M1(T6RSS-Q) - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK40P04M1(T6RSS-Q) の詳細情報

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型番TK40P04M1(T6RSS-Q)
メーカーTOSHIBA
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 41 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (ID) 40 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0134 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 120 A
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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