TK3P50D - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

TK3P50D の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TK3P50D
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 81 mJ
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 280
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3 A
Drain Current-Max (ID) 3 A
Drain-source On Resistance-Max 3 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 3
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 60
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 60 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6 A
Qg(nC) 7
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 3
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 500
VGSS(V) +/-30
タイプ
ピン数 3
世代 π-MOSⅦ
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 10Vゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TK3P50Dのレビュー

TK3P50D のご注文について