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TK33S10N1Z,LQ
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TK33S10N1Z,LQ の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | TK33S10N1Z,LQ |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| 種別 | パワーMOSFET |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 66.5 mJ |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 33 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0097 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 140 pF |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 125 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 99 A |
| Reference Standard | AEC-Q101 |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
TK33S10N1Z,LQのレビュー
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